| 论文编号: | 1725110120140272 |
| 第一作者所在部门: | 十室一组 |
| 论文题目: | Doping profile optimisation in bulk FinFET channeland source/drain extension regions for low off-state leakage |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 张珂珂 |
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| 刊物名称: | Int. J. Nanotechnol |
| 年: | 2014 |
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| 期: | 12 |
| 页: | 111 |
| 联系作者: | 张珂珂 |
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科研产出