论文编号: 1725110120140252
第一作者所在部门: 十室一组
论文题目: An effective work-function tuning method of nMOSCAP with high-k/metal gate by TiN/TaN double-layer stack thickness
论文题目英文:
作者: 马雪丽
论文出处:
刊物名称: Journal of Semiconductors
: 2014
: 35
: 9
: 1
联系作者: 马雪丽
收录类别:
影响因子: 0.37
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
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