A Novel Fin Electron–Hole Bilayer Tunnel Field-Effect Transistor--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120140246
第一作者所在部门:	十室一组
论文题目:	A Novel Fin Electron–Hole Bilayer Tunnel Field-Effect Transistor
论文题目英文:
作者:	朱正勇
论文出处:
刊物名称:	IEEE Transactions on Nanotechnology
年:	2014
卷:
期:	13
页:	1133
联系作者:	朱正勇
收录类别:
影响因子:	1.619
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
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