A chemical mechanical planarization model for aluminum gate structures--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120140218
第一作者所在部门:	EDA中心
论文题目:	A chemical mechanical planarization model for aluminum gate structures
论文题目英文:
作者:	徐勤志
论文出处:
刊物名称:	Microelectronic Engineering
年:	2014
卷:	131
期:	1
页:	58
联系作者:	徐勤志
收录类别:
影响因子:	1.338
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
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