Uniformity Improvement of 1T1R RRAM with Gate Induced Resistive Switching--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120140216
第一作者所在部门:	研究生5，三室
论文题目:	Uniformity Improvement of 1T1R RRAM with Gate Induced Resistive Switching
论文题目英文:
作者:	刘红涛
论文出处:
刊物名称:	Electron Device Letters
年:	2014
卷:
期:	12
页:	1224
联系作者:	刘红涛
收录类别:
影响因子:	3.023
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注: