SiGe Selective Epitaxial Growth Process for 22 nm Node CMOS and Beyond--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120140214
第一作者所在部门:	十室一组
论文题目:	SiGe Selective Epitaxial Growth Process for 22 nm Node CMOS and Beyond
论文题目英文:
作者:	王桂磊
论文出处:
刊物名称:	The Electrochemical Society
年:	2014
卷:	103
期:	1
页:	1692
联系作者:	王桂磊
收录类别:
影响因子:	0.5
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
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