论文编号: | 1725110120140207 |
第一作者所在部门: | 十室一组 |
论文题目: | Integration of highly-strained SiGe materials in 14nm and beyond nodes FinFET technology |
论文题目英文: | |
作者: | 王桂磊 |
论文出处: | |
刊物名称: | Solid-State Electronics |
年: | 2014 |
卷: | 103 |
期: | 1 |
页: | 222 |
联系作者: | 王桂磊 |
收录类别: | |
影响因子: | 1.514 |
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英文摘要: | |
外单位作者单位: | |
备注: | |
科研产出