论文编号: 1725110120140207
第一作者所在部门: 十室一组
论文题目: Integration of highly-strained SiGe materials in 14nm and beyond nodes FinFET technology
论文题目英文:
作者: 王桂磊
论文出处:
刊物名称: Solid-State Electronics
: 2014
: 103
: 1
: 222
联系作者: 王桂磊
收录类别:
影响因子: 1.514
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
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