Hysteresis analysis of graphene transistor under--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120140205
第一作者所在部门:	十室一组
论文题目:	Hysteresis analysis of graphene transistor under
论文题目英文:
作者:	杨杰
论文出处:
刊物名称:	Chinese Journal of Semiconductors
年:	2014
卷:
期:	9
页:	45
联系作者:	杨杰
收录类别:
影响因子:	0.371
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注: