Thermoelectric Seebeck effect in oxide-based resistive switching memory--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120140143
第一作者所在部门:	研究生5,三室
论文题目:	Thermoelectric Seebeck effect in oxide-based resistive switching memory
论文题目英文:
作者:	王明
论文出处:
刊物名称:	Nature Communications
年:	2014
卷:
期:	5
页:	1
联系作者:	王明
收录类别:
影响因子:	10.742
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注: