论文编号: 1725110120140139
第一作者所在部门: 十室一组
论文题目: Investigation of Key Technologies for Poly-Si/TaN/HfLaON/IL SiO2 Gate-Stacks in Advanced Device Applications
论文题目英文:
作者: 徐秋霞
论文出处:
刊物名称: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
: 2014
: 61
: 4
: 991
联系作者: 徐秋霞
收录类别:
影响因子: 2.358
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
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