论文编号: | 1725110120140139 |
第一作者所在部门: | 十室一组 |
论文题目: | Investigation of Key Technologies for Poly-Si/TaN/HfLaON/IL SiO2 Gate-Stacks in Advanced Device Applications |
论文题目英文: | |
作者: | 徐秋霞 |
论文出处: | |
刊物名称: | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES |
年: | 2014 |
卷: | 61 |
期: | 4 |
页: | 991 |
联系作者: | 徐秋霞 |
收录类别: | |
影响因子: | 2.358 |
摘要: | |
英文摘要: | |
外单位作者单位: | |
备注: | |
科研产出