Set statistics in conductive bridge random access memory device--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120140119
第一作者所在部门:	三室
论文题目:	Set statistics in conductive bridge random access memory device
论文题目英文:
作者:	张美芸
论文出处:
刊物名称:	Applied Physics Letters
年:	2014
卷:
期:	105
页:	193501-1
联系作者:	张美芸
收录类别:
影响因子:	3.515
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注: