| 论文编号: | 1725110120140103 |
| 第一作者所在部门: | 四室一组 |
| 论文题目: | THE EFFECT OF IN-SITU OZONE ANNEALING PER CYCLE ON Al2O3 GATE DIELECTRIC DEPOSITED BY ATOMIC LAYER DEPOSITION USING TMA AND H2O FOR InGaAs MOS CAPACITOR |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 孙兵 |
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| 刊物名称: | Proceedings of ICSICT2014 |
| 年: | 2014 |
| 卷: | |
| 期: | 2014 |
| 页: | 1049 |
| 联系作者: | 孙兵 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 0 |
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| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
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