| 论文编号: | 1725110120140102 |
| 第一作者所在部门: | 研究生6,四室一组 |
| 论文题目: | Improved power simulation of AlGaN/GaN HEMT at class-AB operation via an RF drain–source current correction method |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 林体元 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | Chinese Physics B |
| 年: | 2014 |
| 卷: | 23 |
| 期: | 12 |
| 页: | 127304-1 |
| 联系作者: | 林体元 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 1.392 |
| 摘要: | |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
科研产出