论文编号: | 1725110120140100 |
第一作者所在部门: | 四室一组 |
论文题目: | IMPACTS OF ANNEALING PROCESSES ON THE ELECTRICAL PROPERTIES OF GASB METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICES |
论文题目英文: | |
作者: | 曾振华 |
论文出处: | |
刊物名称: | Proceedings of ICSICT2014 |
年: | 2014 |
卷: | |
期: | 2014 |
页: | 1198 |
联系作者: | 曾振华 |
收录类别: | |
影响因子: | 0 |
摘要: | |
英文摘要: | |
外单位作者单位: | |
备注: | |
科研产出