| 论文编号: | 1725110120140098 |
| 第一作者所在部门: | 四室一组 |
| 论文题目: | InGaSb Buried-Channel pMOSFET Fabricated by Using Digital Etch Technique |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 孙兵 |
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| 刊物名称: | Extended Abstracts of the 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials, Tsukuba, 2014 |
| 年: | 2014 |
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| 期: | 2014 |
| 页: | 124 |
| 联系作者: | 孙兵 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 0 |
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| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
科研产出