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论文编号: 1725110120140079
第一作者所在部门: 二室一组
论文题目: 基于氧化钨的８Ｍｂ高密度阻变存储器设计
论文题目英文:
作者: 陈铖颖
论文出处:
刊物名称: 微电子学
年: 2014
卷: 44
期: 2
页: 241
联系作者: 陈铖颖
收录类别:
影响因子: 0.1727
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
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