论文编号: 1725110120140079
第一作者所在部门: 二室一组
论文题目: 基于氧化钨的8Mb高密度阻变存储器设计
作者: 陈铖颖
刊物名称: 微电子学
: 2014
: 44
: 2
: 241
联系作者: 陈铖颖
影响因子: 0.1727