基于氧化钨的８Ｍｂ高密度阻变存储器设计--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120140079
第一作者所在部门:	二室一组
论文题目:	基于氧化钨的８Ｍｂ高密度阻变存储器设计
论文题目英文:
作者:	陈铖颖
论文出处:
刊物名称:	微电子学
年:	2014
卷:	44
期:	2
页:	241
联系作者:	陈铖颖
收录类别:
影响因子:	0.1727
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注:

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