The study of defect removal etching of black silicon--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120140066
第一作者所在部门:	八室一组
论文题目:	The study of defect removal etching of black silicon
论文题目英文:
作者:	肖高
论文出处:
刊物名称:	Materials Science in Semiconductor Processing
年:	2014
卷:
期:	7
页:	64
联系作者:	肖高
收录类别:
影响因子:	1.761
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注: