论文编号: 1725110120140065
第一作者所在部门: 一室一组
论文题目: A Simulation Model for PDSOI MOSFETs
论文题目英文:
作者: 卜建辉
论文出处:
刊物名称: IEEE 12th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology
: 2014
: 12
: 1
: 1270
联系作者: 卜建辉
收录类别:
影响因子: 0.0
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