论文编号: | 1725110120140065 |
第一作者所在部门: | 一室一组 |
论文题目: | A Simulation Model for PDSOI MOSFETs |
论文题目英文: | |
作者: | 卜建辉 |
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刊物名称: | IEEE 12th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology |
年: | 2014 |
卷: | 12 |
期: | 1 |
页: | 1270 |
联系作者: | 卜建辉 |
收录类别: | |
影响因子: | 0.0 |
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英文摘要: | |
外单位作者单位: | |
备注: | |
科研产出