Microwave annealing effects on the ZnO films deposited by Atomic Layer Deposition--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120140064
第一作者所在部门:	研究生4,八室一组
论文题目:	Microwave annealing effects on the ZnO films deposited by Atomic Layer Deposition
论文题目英文:
作者:	赵士瑞
论文出处:
刊物名称:	半导体学报
年:	2014
卷:	35
期:	11
页:	1
联系作者:	赵士瑞
收录类别:
影响因子:	0.2723
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
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