论文编号: 1725110120140053
第一作者所在部门: 三室一组
论文题目: Field Effect Mobility Model in Oxide Semiconductor Thin Film Transistors With Arbitrary Energy Distribution of Traps
论文题目英文:
作者: 李泠
论文出处:
刊物名称: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
: 2014
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: 35
: 26
联系作者: 李泠
收录类别:
影响因子: 3.023
摘要:
英文摘要:
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