论文编号: 1725110120140035
第一作者所在部门: 四室一组
论文题目: High-fMAX High Johnson’s Figure-of-Merit 0.2-μm Gate AlGaN/GaN HEMTs on Silicon Substrate With AlN/SiNx passivation
论文题目英文:
作者: 黄森
论文出处:
刊物名称: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
: 2014
: 35
: 3
: 315
联系作者: 黄森
收录类别:
影响因子: 3.023
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
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