论文编号: | 1725110120140035 |
第一作者所在部门: | 四室一组 |
论文题目: | High-fMAX High Johnson’s Figure-of-Merit 0.2-μm Gate AlGaN/GaN HEMTs on Silicon Substrate With AlN/SiNx passivation |
论文题目英文: | |
作者: | 黄森 |
论文出处: | |
刊物名称: | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS |
年: | 2014 |
卷: | 35 |
期: | 3 |
页: | 315 |
联系作者: | 黄森 |
收录类别: | |
影响因子: | 3.023 |
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英文摘要: | |
外单位作者单位: | |
备注: | |
科研产出