The STI stress effect on deep submicron PDSOI MOSFETs--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120140027
第一作者所在部门:	一室一组
论文题目:	The STI stress effect on deep submicron PDSOI MOSFETs
论文题目英文:
作者:	卜建辉
论文出处:
刊物名称:	Journal of Semiconductors
年:	2014
卷:	35
期:	3
页:	034008-1
联系作者:	卜建辉
收录类别:
影响因子:	0.2723
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注: