A 65nm 1Gb NOR Floating-gate Flash Memory with Less than 50ns Access time--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120140019
第一作者所在部门:	三室一组
论文题目:	A 65nm 1Gb NOR Floating-gate Flash Memory with Less than 50ns Access time
论文题目英文:
作者:	王瑜
论文出处:
刊物名称:	Chinese Science bulletin
年:	2014
卷:
期:	29
页:	3935
联系作者:	王瑜
收录类别:
影响因子:	1.365
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注: