Improving the Resistive Switching Reliability via controlling the resistance states of RRAM--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120150333
第一作者所在部门:	研究生5，微电子重点实验室
论文题目:	Improving the Resistive Switching Reliability via controlling the resistance states of RRAM
论文题目英文:
作者:	李阳
论文出处:
刊物名称:	IPFA
年:	2015
卷:
期:	1
页:	552-555
联系作者:	刘明
收录类别:
影响因子:	0
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注: