论文编号: 1725110120150320
第一作者所在部门: 研究生5,微电子重点实验室
论文题目: Origin of Mobility Degeneration at High Gate Bias in Organic Thin Film Transistors Based on Carriers’ Freeze to Surface Charges
论文题目英文:
作者: 徐光伟
论文出处:
刊物名称: SISPAD
: 1991
:
: 1
: 143-140
联系作者: 李泠,刘明
收录类别:
影响因子: 0
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英文摘要:
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