The TID effects of RRAM based oxide material--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120150314
第一作者所在部门:	微电子重点实验室
论文题目:	The TID effects of RRAM based oxide material
论文题目英文:
作者:	王艳
论文出处:
刊物名称:	RADECS2015
年:	2015
卷:
期:	1
页:	1-4
联系作者:	刘明,刘琦,龙世兵,吕杭炳
收录类别:
影响因子:	0
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注: