| 论文编号: | 1725110120150313 |
| 第一作者所在部门: | 微电子重点实验室 |
| 论文题目: | Occurrence of Resistive Switching and Threshold Switching in Atomic Layer Deposited Ultrathin (2 nm) Aluminium Oxide Crossbar Resistive Random Access Memory |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | Writam Banerjee |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS |
| 年: | 2015 |
| 卷: | 36 |
| 期: | 4 |
| 页: | 333-335 |
| 联系作者: | 刘明 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 2.754 |
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| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
科研产出