| 论文编号: | 1725110120150306 |
| 第一作者所在部门: | 微电子重点实验室 |
| 论文题目: | Gate Bias Dependence of Complex Random Telegraph Noise Behavior in 65-nm NOR Flash Memory |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 杨潇楠 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS |
| 年: | 2015 |
| 卷: | 36 |
| 期: | 1 |
| 页: | 26-28 |
| 联系作者: | 刘明 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 2.754 |
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| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
科研产出