| 论文编号: | 1725110120150273 |
| 第一作者所在部门: | 先导中心 |
| 论文题目: | Investigation of TaN as the wet etch stop layer for HKMG-last integration in the 22 nm and beyond nodes CMOS technology |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 崔虎山 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | Vacuum |
| 年: | 2015 |
| 卷: | 119 |
| 期: | 1 |
| 页: | 185-188 |
| 联系作者: | 卢一泓,叶甜春 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 1.858 |
| 摘要: | |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
科研产出