| 论文编号: | 1725110120150265 |
| 第一作者所在部门: | 先导中心 |
| 论文题目: | A simulation analysis of performance of both implanted doping and in situ doping ETSOI PMOSFETs |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 冯帅 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | Journal of Semiconductors |
| 年: | 2015 |
| 卷: | 36 |
| 期: | 4 |
| 页: | 1-5 |
| 联系作者: | 闫江 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 0.584 |
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| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
科研产出