Temperature-dependent nitrogen configuration of N-doped graphene by chemical vapor deposition--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120150262
第一作者所在部门:	高频高压中心
论文题目:	Temperature-dependent nitrogen configuration of N-doped graphene by chemical vapor deposition
论文题目英文:
作者:
论文出处:
刊物名称:	carbon
年:	2015
卷:
期:	81
页:	814-820
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收录类别:
影响因子:	6.14
摘要:
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