论文编号: 1725110120150257
第一作者所在部门: 先导中心
论文题目: Towards single-trap spectroscopy_Generation-recombination noise in UTBOX SOI nMOSFETs
论文题目英文:
作者: 方雯
论文出处:
刊物名称: Phys. Status Solidi C
: 2015
: 3
: 3
: 292-298
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收录类别:
影响因子: 1.8
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