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论文编号: 1725110120150256
第一作者所在部门: 先导中心
论文题目: 在SiGeC衬底上直接生长石墨烯
论文题目英文:
作者: 魏胜
论文出处:
刊物名称: 半导体技术
年: 2015
卷: 40
期: 7
页: 537-541
联系作者: 罗军
收录类别:
影响因子: 0.5
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英文摘要:
外单位作者单位:
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