AlGaN/GaN high electron mobility transistor with Al2O3+BCB passivation--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120150239
第一作者所在部门:	高频高压中心
论文题目:	AlGaN/GaN high electron mobility transistor with Al2O3+BCB passivation
论文题目英文:
作者:
论文出处:
刊物名称:	Chinese Physics B
年:	2015
卷:	24
期:	11
页:	117307-1-117307-5
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收录类别:
影响因子:	1.603
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