Short channel effect of AlGaN/GaN HEMT with a super-lattice barrier layer--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120150238
第一作者所在部门:	高频高压中心
论文题目:	Short channel effect of AlGaN/GaN HEMT with a super-lattice barrier layer
论文题目英文:
作者:
论文出处:
刊物名称:	CSW2015
年:	2015
卷:
期:	1
页:	111-1113
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收录类别:
影响因子:	0
摘要:
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