| 论文编号: | 1725110120150232 |
| 第一作者所在部门: | 先导中心 |
| 论文题目: | Ion-Implanted TiN Metal Gate With Dual Band-Edge Work Function and Excellent Reliability for Advanced CMOS Device Applications |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES |
| 年: | 2015 |
| 卷: | 62 |
| 期: | 12 |
| 页: | 4100-4205 |
| 联系作者: | 徐秋霞 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 2.472 |
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| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
科研产出