| 论文编号: | 1725110120150231 |
| 第一作者所在部门: | 先导中心 |
| 论文题目: | Influence of ultra-thin TiN thickness (1.4 nm and 2.4 nm) on positive bias temperature instability (PBTI) of high-k/metal gate nMOSFETs with gate-last process |
| 作者: | 祁路伟 |
| 刊物名称: | Chinese Physics B |
| 年: | 2015 |
| 卷: | 24 |
| 期: | 2015 |
| 页: | 127305-127305 |
| 联系作者: | 王文武 |
| 影响因子: | 1.603 |
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