| 论文编号: | 1725110120150228 |
| 第一作者所在部门: | 先导中心 |
| 论文题目: | Characterization of positive bias temperature instability of NMOSFET with high-k/metal gate last process |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 任尚清 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | Journal of Semiconductors |
| 年: | 2015 |
| 卷: | 36 |
| 期: | 2015 |
| 页: | 14007-014007 |
| 联系作者: | 王文武 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 0.408 |
| 摘要: | |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
科研产出