| 论文编号: | 1725110120150223 |
| 第一作者所在部门: | 高频高压中心 |
| 论文题目: | High-Performance Enhancement-Mode Al？O？/AlGaN/GaN-on-Si MISFETs With 626 MW/cm2 Figure of Merit |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | IEEE Transaction on Electron Devices |
| 年: | 2015 |
| 卷: | 62 |
| 期: | 3 |
| 页: | 776-781 |
| 联系作者: | 黄森 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 2.472 |
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| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
科研产出