论文编号: | 1725110120150222 |
第一作者所在部门: | 先导中心 |
论文题目: | FinFETs using reverse substrate layer with improved gate capacitance characteristics for subthreshold application |
作者: | 魏星 |
刊物名称: | Solid-state electronic |
年: | 2015 |
卷: | 104 |
期: | 2015 |
页: | 116-121 |
联系作者: | 朱慧珑 |
影响因子: | 1.504 |
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