| 论文编号: | 1725110120150221 |
| 第一作者所在部门: | 高频高压中心 |
| 论文题目: | Reduction of Current Collapse in GaN High-Electron Mobility Transistors Using a Repeated Ozone Oxidation and Wet Surface Treatment |
| 刊物名称: | IEEE Electron Device Letters |
| 年: | 1949 |
| 卷: | 36 |
| 期: | 8 |
| 页: | 757-759 |
| 联系作者: | 黄森 |
| 影响因子: | 2.754 |
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