Reduction of Current Collapse in GaN High-Electron Mobility Transistors Using a Repeated Ozone Oxidation and Wet Surface Treatment--中国科学院微电子研究所

科研产出

当前位置首页科研工作科研产出论文

论文编号:	1725110120150221
第一作者所在部门:	高频高压中心
论文题目:	Reduction of Current Collapse in GaN High-Electron Mobility Transistors Using a Repeated Ozone Oxidation and Wet Surface Treatment
论文题目英文:
作者:
论文出处:
刊物名称:	IEEE Electron Device Letters
年:	1949
卷:	36
期:	8
页:	757-759
联系作者:	黄森
收录类别:
影响因子:	2.754
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注: