Enlage the process window of patterns in 22nm node by using mask topography aware OPC and SMO--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120150202
第一作者所在部门:	先导中心
论文题目:	Enlage the process window of patterns in 22nm node by using mask topography aware OPC and SMO
论文题目英文:
作者:	刘艳松
论文出处:
刊物名称:	CSTIC
年:	2015
卷:	9426
期:	1
页:	1-11
联系作者:	韦亚一
收录类别:
影响因子:	0
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
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