| 论文编号: | 1725110120150201 |
| 第一作者所在部门: | 高频高压中心 |
| 论文题目: | Breakdown mechanism in AlGaN/GaN high electron mobility transistors with different GaN channel thickness |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 张亚嫚 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | Chinese Physics B |
| 年: | 2015 |
| 卷: | 24 |
| 期: | 2 |
| 页: | 027101-1-027101-6 |
| 联系作者: | 王鑫华,刘新宇 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 1.603 |
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| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
科研产出