Atomic Layer Deposited TiAlC Film as Metal Gate for 22 nm Node CMOS Technology and Beyond--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120150197
第一作者所在部门:	先导中心
论文题目:	Atomic Layer Deposited TiAlC Film as Metal Gate for 22 nm Node CMOS Technology and Beyond
论文题目英文:
作者:	项金娟
论文出处:
刊物名称:	ALD 2015
年:	2015
卷:	4
期:	4
页:	1-10
联系作者:	赵超
收录类别:
影响因子:	0
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
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