论文编号: 1725110120150197
第一作者所在部门: 先导中心
论文题目: Atomic Layer Deposited TiAlC Film as Metal Gate for 22 nm Node CMOS Technology and Beyond
作者: 项金娟
刊物名称: ALD 2015
: 2015
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: 1-10
联系作者: 赵超
影响因子: 0