论文编号: 1725110120150185
第一作者所在部门: 先导中心
论文题目: Device parameter optimization for sub-20 nm node HK/MG-last bulk FinFETs
论文题目英文:
作者: 许淼
论文出处:
刊物名称: Journal of Semiconductors
: 2015
: 36
: 4
: 044007-1-044007-4
联系作者: 殷华湘
收录类别:
影响因子: 0.408
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
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