论文编号: | 1725110120150185 |
第一作者所在部门: | 先导中心 |
论文题目: | Device parameter optimization for sub-20 nm node HK/MG-last bulk FinFETs |
论文题目英文: | |
作者: | 许淼 |
论文出处: | |
刊物名称: | Journal of Semiconductors |
年: | 2015 |
卷: | 36 |
期: | 4 |
页: | 044007-1-044007-4 |
联系作者: | 殷华湘 |
收录类别: | |
影响因子: | 0.408 |
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英文摘要: | |
外单位作者单位: | |
备注: | |
科研产出