Charge trapping behavior and its origin in Al2O3/SiC MIS system--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120150182
第一作者所在部门:	高频高压中心
论文题目:	Charge trapping behavior and its origin in Al2O3/SiC MIS system
论文题目英文:
作者:	刘新宇
论文出处:
刊物名称:	Chinese Physics B
年:	2015
卷:	24
期:	8
页:	087304-1-087304-6
联系作者:	申华军
收录类别:
影响因子:	1.603
摘要:
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