论文编号: 1725110120150174
第一作者所在部门: 先导中心
论文题目: Planar Bulk MOSFETs With Self-Aligned Pocket Well to Improve Short-Channel Effects and Enhance Device Performance
论文题目英文:
作者: 张严波
论文出处:
刊物名称: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
: 2015
: 62
: 5
: 1411-1418
联系作者: 朱慧珑
收录类别:
影响因子: 2.472
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注: