Self-judgement flip coding for resistive random access memory--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120150148
第一作者所在部门:	感知中心,微电子重点实验室
论文题目:	Self-judgement flip coding for resistive random access memory
论文题目英文:
作者:	项中元
论文出处:
刊物名称:	electronics letters
年:	2015
卷:	11
期:	11
页:	911-912
联系作者:	张锋
收录类别:
影响因子:	0.94
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注: