论文编号: 1725110120150122
第一作者所在部门: 高频高压中心
论文题目: Low frequency noise measurements as a characterization tool for reliability assessment in AlGaN/GaN high-electron-mobilityTransistors (HEMTs)
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刊物名称: PEDs2015
: 1949
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: 1
: 1-3
联系作者: 赵妙
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