| 论文编号: | 1725110120150121 |
| 第一作者所在部门: | 高频高压中心 |
| 论文题目: | In-situ phosphorous-doped SiGe layer on Si substrate by reactive thermal chemical vapor deposition at low temperature |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 陶科 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | Materials Science in Semiconductor Processing |
| 年: | 2015 |
| 卷: | 38 |
| 期: | 1 |
| 页: | 137-141 |
| 联系作者: | 贾锐 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 1.955 |
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| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
科研产出